US6M11TR
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 20V，12V 1.5A，1.3A 1W 表面贴装型 TUMT6
物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V，12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.5A，1.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 1W |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装: | TUMT6 |